METHOD OF MANUFACTURING BURIED CHANNEL TRANSISTOR HAVING RECESS GATE,申请号KR20040101399-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	METHOD OF MANUFACTURING BURIED CHANNEL TRANSISTOR HAVING RECESS GATE
摘要
申请公布号	KR20060062534(A)	申请公布日期	2006.06.12
申请号	KR20040101399	申请日期	2004.12.03
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC.	发明人	CHOI, WOONG
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
地址

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