| 摘要 |
<P>L'invention concerne un composant unipolaire vertical formé dans un substrat semiconducteur, comprenant des doigts verticaux (4) en un matériau conducteur entourés d'oxyde de silicium (3), des portions du substrat (2) étant présentes entre les doigts et l'ensemble étant revêtu d'une couche conductrice (7). La périphérie du composant comprend une succession de doigts (34-1 à 34-5) disposés dans des tranchées concentriques, séparées les unes des autres seulement par de l'oxyde de silicium (33), la surface supérieure des doigts d'au moins la rangée la plus interne (34-1) étant en contact avec ladite couche conductrice.</P>
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