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Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet eine Anodenelektrode (3) mit einem Schottky-Kontakt zu einer n-Driftschicht (2), die in einem SiC-Substrat (1) ausgebildet ist, und eine JTE-Region (6), die außerhalb der Anodenelektrode (3) ausgebildet ist. Die JTE-Region (6) besteht aus einer ersten p-Zone (6a), die in einem oberen Abschnitt der Driftschicht (2) unterhalb eines Randes der Anodenelektrode (3) ausgebildet ist, und einer zweiten p-Zone (6b), die außerhalb der ersten p-Zone (6a) ausgebildet ist mit einer niedrigeren Flächendotierungskonzentration als die erste p-Zone (6b). Die zweite p-Zone (6b) ist 15 mum oder mehr außerhalb des Randes der Anodenelektrode (3) vorgesehen. Die Flächendotierungskonzentration der ersten p-Zone (6a) erreicht von 1,8 x 10·13· bis 4 x 10·13· cm·-2· und jene der zweiten p-Zone (6b) erreicht von 1 x 10·13· bis 2,5 x 10·13· cm·-2·.
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