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发明名称 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PHASE CHANGE MATERIAL LAYER INVOLVING PHASE CHANGE NANO PARTICLES AND FABRICATION METHOD OF THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060061745(A) 申请公布日期 2006.06.08
申请号 KR20050021340 申请日期 2005.03.15
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KHANG, YOON HO;JO, WIL LIAM;SUH, DONG SEOK
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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