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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Speicherschaltung; DOLLAR A - mit einer Bitleitung und einer Wortleitung verbundenen CBRAM-Widerstandsspeicherzelle (1), die ein CBRAM-Widerstandselement (2) aufweist, dessen Widerstand mit einem Schreibstrom einstellbar ist, um eine Information zu speichern, und einem über die Wortleitung ansteuerbaren Auswahlschalter (3), um ein erstes Potential über das CBRAM-Widerstandselement (2) mit der Bitleitung zu verbinden; DOLLAR A - mit einer mit der Bitleitung (BL) und einer Referenzleitung (11) verbundenen Referenz-Widerstandszelle (6'), die ein Referenz-Widerstandselement (7), dessen Widerstand auf einen Widerstandsschwellwert eingestellt ist, und einen über die Referenzleitung ansteuerbaren Referenzauswahlschalter (8) aufweist, um ein zweites Potential über das Referenz-Widerstandselement (7) mit der Bitleitung (BL) zu verbinden; DOLLAR A - mit einer Ausleseeinheit (21, 30), die ausgestaltet ist, um zum Auslesen eines Speicherdatums den Referenzauswahlschalter (8) und den Auswahlschalter (3) zu aktivieren, so dass über die CBRAM-Widerstandsspeicherzelle (1) ein Speicherzellenstrom und über die Referenz-Widerstandszelle (6) ein Referenzstrom auf die Bitleitung (BL) fließt; DOLLAR A - mit einer Bewertungseinheit (12, 32), die mit der Bitleitung verbunden ist und die das Speicherdatum abhängig von einer der Bitleitung (BL) zugeordneten resultierenden elektrischen Größe ausgibt.
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