电容耦合型等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

主权项

1.一种电容耦合型的等离子体处理装置，其特征在于，包括：可以设定为具有真空气氛的处理腔室；将处理气体供给至所述腔室内的处理气体供给部；配置在所述腔室内的第一电极；与所述第一电极相对而配置在所述腔室内的第二电极；为了在所述第一和第二电极之间的等离子体生成区域中形成高频电场，而将高频电力供给至所述第一或者第二电极的高频电源，而且，利用所述高频电场来使所述处理气体等离子体化、即变成等离子体；在所述第一和第二电极之间、以被处理面与所述第二电极相对的方式来支撑被处理基板的支撑部件；和在所述腔室内、配置在所述等离子体生成区域周围的周围区域中、并且接地的导电性作用面，使所述等离子体向所述等离子体生成区域的外侧扩展，而且，可调制所述作用面，使其实质上与所述等离子体直流地结合。