发明名称 存储电容和采用该存储电容的液晶显示器
摘要 本发明公开了一种存储电容和采用该存储电容的液晶显示器。该存储电容包括一第一电容电极、一设置在该第一电容电极上的介电层和一设置在该介电层上的第二电容电极;其中,该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上包括至少一孔洞。由于孔洞的边缘效应,存储电容具有更大的电容值。作为进一步改进,可以在该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上设置多个相互分离的凸块,由于凸块的边缘作用和凸块间隙的透光作用,可进一步提高该存储电容的电容值。采用该存储电容的液晶显示器具有较大的存储电容值而且可提高像素区域的开口率。
申请公布号 CN1782824A 申请公布日期 2006.06.07
申请号 CN200410052442.7 申请日期 2004.11.24
申请人 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 发明人 洪肇逸;陈弘育
分类号 G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种存储电容,包括一第一电容电极、一设置在该第一电容电极上的介电层和一设置于该介电层上的第二电容电极,其特征是:该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上包括至少一孔洞。
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