半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种制造半导体器件的方法，该半导体器件设置有侧壁层，该侧壁层具有高质量和非常好的形状。使用含碳氮氧化硅膜形成栅极电极侧壁上的侧壁层。这种膜可以使用BTBAS和氧气作为原材料通过CVD法来形成，其中适当设定BTBAS流速/氧气流速之比，且设定较低的膜形成温度，例如约530℃。当使用这种膜形成侧壁层时，由于氮原子和碳原子的作用，可以实现HF抗蚀性的改善和边缘电容的减少。此外，当在低温条件下形成这种膜时，可以抑制引入半导体衬底中的杂质不必要的扩散。因此，可加强和稳定晶体管特性，从而可实现半导体器件的高性能和高质量。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有栅极电极，以及设置在该栅极电极上的侧壁层，该方法包括以下步骤：经由栅极绝缘膜在半导体衬底上形成该栅极电极，在与该栅极电极的侧壁相接触的部分上形成一个侧壁层，在位于该一个侧壁层的外侧且用作该一个侧壁层表面的部分上，形成其他侧壁层，以及使用所述其他侧壁层作为掩膜，将杂质引入该半导体衬底，以在该衬底中形成杂质区，其中，在该一个侧壁层和所述其他侧壁层中，至少使用含碳氮氧化硅膜形成所述其他侧壁层。