| 发明名称 | 磁阻结构、磁阻元件、与存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁阻结构、磁阻元件、与存储单元，具体涉及一种非平面的磁阻结构，包括一个以上的弯曲部分，介于第一部分与第二部分之间，其中第一部分稍微与基底呈垂直，而第二部分稍微与基底呈水平。上述结构可用于存储元件，如：MRAM存储元件，在不减少表面积的情况下，与先前平面磁阻结构相比，其存储密度增加。 | ||
| 申请公布号 | CN1783335A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200510105996.3 | 申请日期 | 2005.10.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊杰 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种磁阻结构，所述磁阻结构包括：一第一铁磁层；一第二铁磁层；一间隔层，介于上述第一铁磁层与上述第二铁磁层之间；以及一弯曲部分，位于上述第一铁磁层、间隔层、与第二铁磁层。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||