半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的课题是谋求工作耐压的提高。特征在于，具备：N+型源区(9)，与栅电极(7)的一端邻接；N-型漏区(5A)和与该漏区(5A)相连地形成的N-型漏区(5B)，在上述第1栅绝缘膜(4)下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；N+型漏区(10)，离开上述栅电极(7)的另一端且被包含在上述N-型漏区(5B)中：以及N型层(11)，从上述第1栅绝缘膜(4)的一个端部起横跨上述N+型漏区(10)间。

主权项

1.一种半导体器件，其特征是，具备：在一种导电型的半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜；与上述第1栅绝缘膜相邻形成的并且比第1栅绝缘膜厚度薄的第2栅绝缘膜；在上述第1栅绝缘膜及第2栅绝缘膜上延伸形成的栅电极；与上述栅电极的一端邻接的反导电型源区；经沟道区与上述源区相对，而且在上述第1栅绝缘膜下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低的第1浓度的反导电型漏区；杂质浓度比上述第1浓度反导电型漏区高，而且使与该漏区连接在上述第2栅绝缘膜下形成的第2浓度的反导电型漏区；与上述栅电极的另一端分开，而且包含在上述第2浓度的反导电型漏区内，并且杂质浓度比该漏区高的第3浓度反导电型漏区。