发明名称 形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法
摘要 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中,电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行:提供镍离子的试剂;提供磷离子的试剂;和包含羧基的试剂。例如,镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂;磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。
申请公布号 CN1783217A 申请公布日期 2006.06.07
申请号 CN200510051143.6 申请日期 2005.02.28
申请人 富士通株式会社 发明人 三宅裕子;加藤雅也
分类号 G11B5/31(2006.01);H01F41/14(2006.01) 主分类号 G11B5/31(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 丁香兰
主权项 1.一种通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法,其中所述电解电镀在包含以下成分的NiP电镀溶液中进行:提供镍离子的试剂;提供磷离子的试剂;和包含羧基的试剂。
地址 日本神奈川县