发明名称 | 形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法 | ||
摘要 | 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中,电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行:提供镍离子的试剂;提供磷离子的试剂;和包含羧基的试剂。例如,镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂;磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。 | ||
申请公布号 | CN1783217A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
申请号 | CN200510051143.6 | 申请日期 | 2005.02.28 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 三宅裕子;加藤雅也 |
分类号 | G11B5/31(2006.01);H01F41/14(2006.01) | 主分类号 | G11B5/31(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
主权项 | 1.一种通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法,其中所述电解电镀在包含以下成分的NiP电镀溶液中进行:提供镍离子的试剂;提供磷离子的试剂;和包含羧基的试剂。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |