| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法，可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命，另外，可以提高制造稳定性；用包括氮元素的源气，通过对铜互连17的表面进行等离子处理，形成氮化铜层24，此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下，形成薄的硅化铜层25。 | ||
| 申请公布号 | CN1258814C | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN02105097.X | 申请日期 | 2002.02.21 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 青木秀充;富盛浩昭;冈田纪雄;宇佐美达矢;大音光市;谷国敬理 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下各步骤：在半导体衬底上形成含铜膜；用清洗剂除去所述含铜膜表面上的氧化铜；对已经从其上除去了氧化铜的所述含铜膜表面进行氮化处理；和在已经进行了所述氮化处理的所述含铜膜上形成包括硅的铜扩散防止膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||