发明名称 |
事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体 |
摘要 |
一种事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体,其系统包括一数据库与一纪录分析单元。数据库用来储存事件纪录、影响纪录以及良率纪录。纪录分析单元依据影响纪录筛选出受影响半导体对象以及未受影响半导体对象,依据良率纪录,计算受影响半导体对象的第一平均良率以及未受影响半导体对象的第二平均良率,使用假设检定方法,检定第二平均良率是否大于第一平均良率。 |
申请公布号 |
CN1783065A |
申请公布日期 |
2006.06.07 |
申请号 |
CN200410096584.3 |
申请日期 |
2004.12.03 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
邱文仁;萧维勤;蓝玉洁;祈孝麟;陈信雄;吴冠良;许嘉慧;游明苍 |
分类号 |
G06F17/30(2006.01);G06Q10/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G06F17/30(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李强 |
主权项 |
1.一种事件良率关联分析系统,包括:一数据库,是用以储存至少一个事件纪录、至少一个影响纪录以及至少一个良率纪录,该事件纪录用以储存影响晶片良率的至少一个事件类型,该影响纪录用以储存关联于该事件类型在特定时间点所发生的事件以及至少一个受影响半导体对象,该良率纪录用以储存经测试后的多个晶片良率,包括该受影响半导体对象的良率;以及一纪录分析单元,耦接于该数据库,用以输入该影响纪录以及该良率纪录,依据该影响纪录筛选出该受影响半导体对象以及至少一个未受影响半导体对象,依据该良率纪录,计算该受影响半导体对象的一第一平均良率以及该未受影响半导体对象的一第二平均良率,使用一假设检定方法,检定该第二平均良率是否大于该第一平均良率。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |