用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法

摘要

提供了一种用于在衬底(14)如半导体晶片上沉积高k介电涂层的方法。对衬底进行一次或多次反应循环。例如，在典型的反应循环中，将衬底加热到一定的沉积温度。之后，在一个实施例中，将一种或多种用于反应的有机金属气体先质供应到反应容器(12)中。还在一定的氧化温度下向衬底提供氧化气体，以便氧化和/或致密化这些层。结果，形成了金属氧化物涂层，其厚度等于至少约一个单层，在一些情况下等于两个或多个单层。所得金属氧化物涂层的介电常数通常大于约4，在一些情况下为约10到约80。

主权项

1.一种用于在衬底上沉积介电涂层的方法，该衬底容纳在一个反应容器内，所述方法包括对所述衬底进行至少两个相续的反应循环，包括：i)在所述衬底处于一个大于300℃的沉积温度时，向所述反应容器中供应一种气体先质，所述气体先质包括有机金属化合物，该有机金属化合物在所述衬底上形成金属氧化物；ii)然后向所述反应容器中供应一种氧化气体，其中在每个所述至少两个相续的反应循环期间形成电介质的至少部分单层。