| 发明名称 | 抗蚀图、其制造方法及其应用 | ||
| 摘要 | 为提供一种能抑制导体电阻降低的微细电路，适于半导体封装基板电路高密度化的抗蚀图，本发明提供一种膜厚1～100微米、形状比(线宽与抗蚀图膜厚之比)3.5以上的抗蚀图。这种抗蚀图，例如可以用含有(A)粘合聚合物，(B1)分子中有三个乙烯性不饱和键的光聚合性化合物，(C)光聚合引发剂和(D)通式(I)或通式(II)表示的化合物中一种或两种化合物的感光性树脂组合物制造。∴(式中m为2～6的整数)∴ | ||
| 申请公布号 | CN1258696C | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN01816402.1 | 申请日期 | 2001.09.26 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 名取美智子;日高敬浩 |
| 分类号 | G03F7/027(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F7/028(2006.01);H01L21/027(2006.01);H05K3/18(2006.01);H05K3/06(2006.01) | 主分类号 | G03F7/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐川 |
| 主权项 | 1.一种感光性树脂组合物，可以利用与膜厚1～100微米、形状比即线宽对抗蚀膜厚之比为3.5以上的抗蚀图的线宽相同宽度的空间，制造与膜厚1～100微米、形状比即线宽对抗蚀图膜厚之比为3.5以上的抗蚀图相邻的抗蚀图组，其特征在于，含有：(A)作为构成单体，包括(甲基)丙烯酸及其烷基酯的粘合聚合物，(B)分子中有至少一个乙烯性不饱和键的光聚合性化合物，和(C)光聚合引发剂，并且相对于100重量份所述(A)成分和(B)成分的总量，所述(A)成分的配合量为40～80重量份；所述(B)成分的配合量为20～60重量份；所述(C)成分的配合量为0.1～10重量份。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||