| 发明名称 |
Verfahren zum Abscheiden einer Folge von teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschichten an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH474853(A) |
申请公布日期 |
1969.06.30 |
| 申请号 |
CH19680003804 |
申请日期 |
1968.03.14 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
PAMMER,ERICH,DR. |
| 分类号 |
C23C16/34;C23C16/40;H01L21/316;H01L23/29;(IPC1-7):H01L7/00 |
主分类号 |
C23C16/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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