| 发明名称 | 反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 提供一种使用以添加了含氮化合物气体的一氧化碳气体为反应气体的反应性离子蚀刻，能够精密地加工被加工体的蚀刻对象区域的干蚀刻方法等。被覆磁性薄膜层(16)的第一掩膜层(18)的材料为含硅、钽的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1784510A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200480012459.8 | 申请日期 | 2004.06.11 |
| 申请人 | TDK股份有限公司 | 发明人 | 大川秀一;服部一博 |
| 分类号 | C23F4/00(2006.01);G11B5/84(2006.01) | 主分类号 | C23F4/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王颖 |
| 主权项 | 1.一种反应性离子蚀刻用掩膜材料，用于以添加了含氮化合物气体的一氧化碳气体为反应气体的反应性离子蚀刻，其特征在于，含有硅、钽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||