| 发明名称 | 等离子体促使调节和改善临界尺寸均匀性的系统和方法 | ||
| 摘要 | 一种新颖的包括OSG或聚合基的互连结构(90nm或更细的BEOL技术)，其中利用先进的等离子体处理降低半导体器件中的光刻后CD不均匀性(线条边缘粗糙度)。该新颖的互连结构具有改进的衬里和籽晶保形性，从而可以获得改善的器件性能、功能性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1783438A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200510117375.7 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | T·J·达尔顿;R·A·D·瓜尔迪亚;N·C·富勒 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种用于改善光刻后结构的临界尺寸(CD)均匀性的方法，包括如下步骤，在适于降低形成的光刻后结构的均方根(RMS)线条边缘粗糙度(LER)的工艺条件下，实施用于蚀刻光刻后结构的双频电容性等离子体蚀刻工艺。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||