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发明名称 Method of Producing GaN Based Semiconductor Light Emitting Diode
摘要
申请公布号 KR100586943(B1) 申请公布日期 2006.06.07
申请号 KR20030097217 申请日期 2003.12.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L33/00;C30B1/00;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/36;H01L21/425;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/62 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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