多厚度硅化物器件的CMOS集成

摘要

本发明涉及到一种低外部电阻互补金属－氧化物－半导体(CMOS)器件及其制作方法。本发明的MOSFET是这样制作的，先在衬底中及栅区上表面上制作第一硅化物区，然后制作第二硅化物区，其中第二硅化物的厚度大于第一硅化物的厚度。本发明的方法是制作紧靠器件沟道区的低阻第一硅化物，此第一硅化物的加入降低了器件的外部电阻，而第二硅化物的加入形成了低表面电阻的互连。

主权项

1.一种制作低阻MOSFET器件的方法，包括以下步骤：在衬底表面上制作栅区；在所述栅区侧壁上制作第一隔层宽度的第一隔层；在所述衬底和所述栅区表面上制作具有第一硅化物厚度的第一硅化物区；制作第二隔层，其第二隔层宽度大于所述衬底上的所述第一隔层宽度，其中所述第二隔层保护所述衬底中的所述第一硅化物区；以及在所述衬底中及所述栅区表面上制作第二硅化物区，其中所述第二硅化物区的厚度大于所述第一硅化物区的厚度。