| 发明名称 | 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过执行以下步骤获得包括砷化镓层的半导体衬底：制备具有由锗构成的分离层和在分离层上的砷化镓层的第一衬底的步骤；通过连接第一衬底和第二衬底而制备键合衬底的步骤；和在一部分分离层中分离键合衬底的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1784515A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200480012145.8 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 米原隆夫;关口芳信 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01);C30B25/22(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/42(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1、一种包括砷化镓层的半导体衬底的制造方法，包括：制备具有由锗构成的分离层和在所述分离层上的砷化镓层的第一衬底的步骤；通过结合所述第一衬底和第二衬底而制备键合衬底的步骤；和在一部分所述分离层处分隔所述键合衬底的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||