发明名称 半导体存储器器件
摘要 一种半导体器件包括利用流过导线的电流的多个存储器单元(MTJ)。多个第一写入线(WBL)与存储器单元电或磁或电磁连接,并沿第一方向设置。第一连接线(CONWBL)将其中至少两个第一写入线相互电连接。
申请公布号 CN1783498A 申请公布日期 2006.06.07
申请号 CN200510062845.4 申请日期 2005.03.31
申请人 株式会社东芝 发明人 稻场恒夫
分类号 H01L27/10(2006.01);G11C11/15(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李德山
主权项 1.一种半导体存储器器件,其特征在于包括:利用流过导线(MTJ)的电流的多个存储器单元;与存储器单元电或磁或电磁连接并沿第一方向设置的多个第一写入线(WBL);和将至少两个第一写入线相互电连接的第一连接线(CONWBL)。
地址 日本东京都