发明名称 A METHOD OF FABRICATING AN EPITAXIALLY GROWN LAYER
摘要
申请公布号 EP1664396(A1) 申请公布日期 2006.06.07
申请号 EP20040763149 申请日期 2004.07.07
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 FAURE, BRUCE;DI CIOCCIO, LEA
分类号 C30B25/18;C30B33/00;H01L21/762;(IPC1-7):C30B25/02 主分类号 C30B25/18
代理机构 代理人
主权项
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