发明名称 |
光掩模及用此制造图案的方法 |
摘要 |
一种光掩模,其在以穿过使用于半导体曝光步骤中的垂直对称结构的多个环栅极图案所形成的孔中加入有辅助图案,以致于该等辅助图案与该等环栅极图案分离有一指定距离,以及一种使用该光掩模来制造图案的方法。该等辅助图案位于孔中与该等环栅极图案分离有该指定距离的位置上,藉此减少因透镜像差所造成的必须是相同的一对垂直相对的环栅极图案的临界尺寸的变化,藉以精确地形成细的图案。 |
申请公布号 |
CN1782868A |
申请公布日期 |
2006.06.07 |
申请号 |
CN200510073730.5 |
申请日期 |
2005.05.20 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
任东圭 |
分类号 |
G03F1/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种光掩模,其包括多个使用于一半导体装置的一曝光步骤中具有垂直对称结构的环栅极图案,其中将辅助图案加入穿过该等环栅极图案所形成的孔中,以便使该等辅助图案与该等环栅极图案分离有一指定距离。 |
地址 |
韩国京畿道 |