发明名称 制造显示设备的方法和形成图案的方法
摘要 提供了一种制造显示设备的方法,其中以岛的方式形成包括信号端区域的a-Si半导体层,并将总的寄生电容最小化,同时限制了光刻工艺步骤数的增加。使用抗蚀剂图案的薄的部分形成信号线、信号引线、信号端、部分漏电极和部分源电极。使用抗蚀剂图案的厚的部分形成每个都从漏电极与源电极彼此相对的位置到超过栅电极宽度的位置的小的区域。具有这些部分的抗蚀剂图案用作蚀刻金属层和接触层的掩模,并将其回流而形成回流的抗蚀剂掩模。该回流的抗蚀剂掩模用于形成半导体岛。
申请公布号 CN1783458A 申请公布日期 2006.06.07
申请号 CN200510127223.5 申请日期 2005.11.25
申请人 NEC液晶技术株式会社 发明人 高桥美朝;村山容一
分类号 H01L21/84(2006.01);G02F1/1368(2006.01);G03F7/00(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;陆锦华
主权项 1.一种制造显示设备的方法,该显示设备包括在绝缘基板的表面上以矩阵方式布置的像素电极和向该像素电极提供信号的TFT,该方法包括下述步骤:在绝缘基板上形成的多层复合物上形成抗蚀剂图案,该多层复合物包括栅电极和栅极线、栅绝缘层、半导体层和金属层;通过使用抗蚀剂图案作为掩模蚀刻金属层而形成用于限定漏电极、源电极、信号线、信号端和信号引线的构图的金属层,其中每一个信号引线都将相应的信号线连接到信号端;将抗蚀剂图案回流以形成回流的抗蚀剂掩模,该回流的抗蚀剂掩模覆盖在构图的金属层和栅电极上并至少填充漏电极和源电极之间的每个空间;使用回流的抗蚀剂掩模蚀刻半导体层,以在漏电极、源电极、信号线、信号端和信号引线下面形成半导体岛;在构图的金属层和暴露出栅绝缘层的区域上形成透明保护绝缘层;和在透明保护绝缘层上形成导电膜,以形成像素电极。
地址 日本神奈川县