| 发明名称 |
掺钕硼酸钆锶激光晶体 |
| 摘要 |
掺钕硼酸钆锶激光晶体涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体材料掺钕硼酸钆锶[Nd:Sr<SUB>3</SUB>Gd<SUB>2</SUB> (BO<SUB>3</SUB>)<SUB>4</SUB>]及其制备方法。采用提拉法生长掺钕硼酸钆锶单晶，其生长温度为1450℃，拉速为0.7－2mm/h，晶转15－30rmp，可生长出高质量、大尺寸的掺钕硼酸钆锶激光晶体。 |
| 申请公布号 |
CN1782146A |
申请公布日期 |
2006.06.07 |
| 申请号 |
CN200410101057.7 |
申请日期 |
2004.12.03 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
王国富;张彦;林州斌;胡祖树;张莉珍 |
| 分类号 |
C30B29/22(2006.01);H01S3/16(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种掺钕硼酸钆锶激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd:Sr3Gd2(BO3)4，属于正交晶系，空间群为Pnma，晶胞参数为：a＝8.755，b＝16.04，c＝7.401，V＝10403，Z＝4，折射率为1.77，Nd3+离子作为掺杂离子，取代晶体中Gd3+离子的晶格位置，其掺杂浓度在0.5at-15at％之间。。 |
| 地址 |
350002福建省福州市杨桥西路155号 |
