整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片以及制造方法

摘要

本发明公开了整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片及其制造方法，整流二极管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N⁺，浓硼扩散区P⁺，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N⁺上，阳极A在浓硼扩散区P⁺上，上部是磷扩散区N⁺，下部是浓硼扩散区P⁺，芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40－400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造整流二极管芯片，耐压提高，性能稳定。也就是说本发明不但克服了原来单面刻槽方法制造的芯片的缺点，而且具有原来单面刻槽方法制造的芯片的优点。

主权项

1、一种整流二极管，整流二极管由外壳、芯片、引出线三部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N+上，阳极A在浓硼扩散区P+上，其特征在于：芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙平面上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40-400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。