| 发明名称 | 温度补偿电阻器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于在半导体衬底上形成温度补偿电阻器的方法。在半导体衬底上形成电阻器元件。在电阻器元件的末端形成终端触点。形成温度补偿配置，所述温度补偿配置选自电阻器元件中与终端触点相间隔并且在终端触点中间的放大横向部分；以及与电阻器元件相接触、沿电阻器元件排列、与终端触点相间隔并且在终端触点中间的至少一个接触图案。 | ||
| 申请公布号 | CN1783427A | 申请公布日期 | 2006.06.07 |
| 申请号 | CN200510117056.6 | 申请日期 | 2005.10.31 |
| 申请人 | 安捷伦科技有限公司 | 发明人 | 楚尔·宏·帕克 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L23/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种用于形成温度补偿电阻器的方法，包括：在半导体衬底上形成电阻器元件；在所述电阻器元件的末端形成终端触点；以及形成至少一个温度补偿配置，所述温度补偿配置选自：所述电阻器元件中在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的放大横向部分；以及与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的至少一个接触图案。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||