半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法，在半导体器件的制造工艺中，电镀和CMP已经导致增加用于形成布线的制造成本的一种问题。相应地，在其上形成掩模之后，在多孔绝缘膜中形成开口，并将含有Ag的导电材料注入开口内。进一步地，通过选择性激光照射烘焙注入开口内的导电材料，形成第一导电层。随后，通过溅射，在整个表面之上形成金属膜，此后去除掩模，以便在第一导电层之上仅仅保留金属膜，由此形成由含有Ag的第一导电层和第二导电层(金属膜)的叠层形成的嵌入布线层。

主权项

1、一种半导体器件，包括：布线层；以及具有布线沟槽和连接到所述布线沟槽的接触孔的多孔绝缘膜，其特征在于，该布线层包括：与在该多孔绝缘膜中形成的该布线沟槽和该接触孔的每一个的底部和内壁接触的第一导电层；在该第一导电层上的第二导电层；以及与该第一导电层和该第二导电层的上表面接触的第三导电层，并且在包括该多孔绝缘膜的上表面的第一表面和包括该第三导电层的上表面的第二表面之间具有台阶部分。