| 摘要 |
<P>L'invention porte sur une mémoire non volatile comprenant :-des lignes de mot donnant accès à des cellules mémoire;-un décodeur de lignes de mot (10) appliquant un signal d'activation correspondant à une adresse d'entrée sur une ligne de mot (WL) ;-un convertisseur (7) reproduisant sur des sorties (WL_LV) le signal d'activation en abaissant son niveau de tension ;-un circuit d'encodage (8) comprenant des transistors (81) à seuil de commutation inférieur au niveau de tension des sorties et connectés pour générer une adresse de sortie (Aout<n-1 :0>) spécifique à une ligne de mot activée si cette ligne de mot est la seule activée ;-un circuit de test (9) générant un signal d'erreur si l'adresse d'entrée diffère de l'adresse de sortie.L'invention permet notamment de réduire la surface de silicium occupée par un circuit de test.</P>
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