| 发明名称 |
防止金属与矽层间侧向交互扩散的方法和结构,及微机电结构 |
| 摘要 |
本发明提供一种防止金属与矽层间侧向交互扩散的方法，包括下列步骤：首先，提供一包括复数个金属图案之基板。接着，形成氧化矽层、氮化矽层、氮氧化矽层、氮化钛或氧化铝于金属图案之间隙壁以防止金属图案和后续填入之矽层间侧向交互扩散。 |
| 申请公布号 |
TW200618276 |
申请公布日期 |
2006.06.01 |
| 申请号 |
TW094141104 |
申请日期 |
2005.11.23 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张毓华;陈斐筠;曾健庭;朱翁驹;彭俊凯;叶志杰;柏竟衡;何大椿 |
| 分类号 |
H01L29/00 |
主分类号 |
H01L29/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
