发明名称 以氮化物为基础之化合物半导体发光装置及其制造方法
摘要 本发明揭示一种以氮化物为基础之化合物半导体发光装置,其包含一第一欧姆电极(12)、一黏合金属层(20)、一第二欧姆电极(13)、一以氮化物为基础之化合物半导体层(30)以及一透明电极(17),彼等层系以此顺序堆叠在一支撑基板(11)上;并且进一步包含一形成于该支撑基板(11背侧上的欧姆电极(14)。
申请公布号 TW200618342 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094123263 申请日期 2005.07.08
申请人 夏普股份有限公司 发明人 幡俊雄
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本