发明名称 热写入式磁性记忆构件
摘要 一种热写入式磁性记忆构件。该热写入式磁性记忆构件包括复数个热写入式磁性穿隧接面构件。各热写入式磁性穿隧接面构件包括一超顺磁稳定资料层。该资料层在一读取温度tR处有一高矫顽磁性,以使先前在一较高写入温度tW处被写入该资料层的一资料位元可以在该读取温度tR处从该资料层被读取。该资料层在该较高写入温度tW处具有一低矫顽磁性,而且资料是在该较高温度tW处写入该资料层。因此,在该较低写入温度tR处,该热写入式磁性记忆构件为一唯读非挥发性记忆体,而且其中所存储的资料可以多次读取,但是新资料不能在该读取温度tR处写入该资料层。
申请公布号 TW200618362 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094120940 申请日期 2005.06.23
申请人 惠普研发公司 发明人 巴塔夏耶;安东尼
分类号 H01L43/00 主分类号 H01L43/00
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国