发明名称 用于藉由原子层沈积以沈积铜薄膜之铜(II)错合物
摘要 本发明系关于新颖1,3–二亚胺及1,3–二亚胺铜错合物,及1,3–二亚胺铜错合物在一原子层沉积法中用于在基材上、或在多孔固体内或多孔固体上沉积铜之用途。
申请公布号 TW200617198 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094126061 申请日期 2005.08.01
申请人 杜邦股份有限公司 发明人 艾力克山德 查克 布雷里;杰弗瑞 史考特 汤普森;朴康浩
分类号 C23C16/18 主分类号 C23C16/18
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国