储存装置及半导体装置

摘要

本发明提供一种储存装置，其包含各具有一记忆元件的复数个记忆装置，该储存元件的特征为施加一不低于第一临限信号的电信号可让该储存元件从高阻值状态变成低阻值状态，且施加一不低于第二临限信号(其极性不同于第一临限信号的极性)的电信号可让该储存元件从低阻值状态变成高阻值状态，且有一电路元件串联该储存元件，以成为一负载；其中该等记忆装置系排列于一矩阵之中，且该等记忆装置每一者的其中一终端会被连接至一共同线路；且其中会于该共同线路上施加一介于电源供应电位与一接地电位之间的中间电位。