| 摘要 |
本发明提出一种用于沈积多孔氧化矽与掺杂氧化矽膜之方法。该方法使用循环方式，其中每个循环包括先共积氧化矽与矽，然后选择性去除该矽以形成多孔结构。在较佳具体实施例中，该共积作用系以电浆强化化学气相沈积法进行。该试剂进料流包括共积试剂与选择性矽去除试剂的混合物。使用RF功率调变控制该共积作用及该选择性矽去除步骤，后者步骤总是在关闭该RF功率或是将其降至低水准时进行。以此方法可制得具有高度均匀小孔及所需孔率轮廓之多孔膜。该方法有利于形成广泛范围之供半导体积体电路制造用的低k介电质。该方法亦有利于形成用于其他应用之其他多孔膜。 |
