| 摘要 |
本发明提供一种非挥发性记忆体单元，其藉由使用一其源极连接至一电源(Vdd)且其汲极提供一可被感测以判定该单元之状态之电流的浮动闸极P通道场效电晶体(pFET)读出电晶体而构建。该pFET读出电晶体之该闸极提供可用以表示诸如二进位位元之资讯的电荷储存。在每一实施例中，利用一其第一端子耦接至一第一电压源且其第二端子耦接至该浮动闸极之控制电容器结构，及一其第一端子耦接至一第二电压源且其第二端子耦接至该浮动闸极之穿隧电容器结构。制造该控制电容器结构，使得其具有比穿隧电容器结构大得多的电容(及在该浮动闸极与该单元之各种其他节点间的相匹配的杂散电容)。对施加于该第一电压源及第二电压源(及Vdd)之该等电压的操纵，会控制跨越该电容器结构及pFET介电质之电场，及因此控制使电子至浮动闸极上及离开其之福勒－诺得汉穿隧(Fowler–Nordheim tunneling)，从而控制该浮动闸极上之电荷及在其上储存之资讯值。 |
