| 摘要 |
本发明提供一种层状构造，其包含一InP基板及II–VI及III–V材料之交替层。该等II–VI及III–V材料之交替层通常与InP基板晶格匹配或相对于InP基板假晶。该II–VI材料通常系选自由ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS及其合金组成之群，更通常地，系选自由CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe及BeMgZnTe合金组成之群，以及最通常地为其中x介于0.44与0.54之间的CdxZn1–xSe。该III–V材料通常系选自由InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb及其合金组成之群，更通常地，系选自由InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs及GaInAsP合金组成之群，且最通常地系InP或其中y介于0.44与0.52之间的InyAl1–yAs在一实施例中，层状构造形成一或多个分散式布拉格(Bragg)反射器(DBR)。在另一态样中，本发明提供一层状构造，其包含：– InP基板及一分散式布拉格反射器(DBR)，该分散式布拉格反射器(DBR)具有95％或高于95％之反射率，其包含不超过15层对的磊晶半导体材料。在另一态样中，本发明提供一包含一根据本发明之层状构造之雷射。在另一态样中，本发明提供一包含一根据本发明之层状构造之光侦测器。 |
