| 摘要 |
一种记忆体可包括相变记忆体元件与串联之第一和第二选择装置。第二选择装置可以具有较第一选择装置为高之电阻与更大之临界电压。在一实施例中，第一选择装置所具有之临界电压实质上等于其维持电压。在一些实施例中，此等选择装置与记忆体元件可由硫族化合物制成。在一些实施例中，此等选择装置是由不可规划硫族化合物制成。具有较高临界电压之选择装置可以对其组合提供较小之泄漏作用，但亦可显示增加之突返作用。此所增加之突返作用可以由具有较低临界电压之选择装置予以抵消，而在一些实施例中构成具有低泄漏与高性能表现之组合。 |
