| 摘要 |
本发明提供一种ESD保护装置或结构，其系利用标准矽锗双极接面电晶体(BJT)单元之高浓度掺杂异接面基极的高导电性。此改良的ESD保护方法进一步使用矽锗BJT之沟槽隔离以及埋设子集极层的结合以限制ESD电流、最小化寄生基板漏电以及达成大的顺向电压，同时对受保护的主动装置造成最小的寄生电容负载。由于ESD保护结构系由传统矽锗BJT电晶体单元经由接触金属化之变更而形成，可无须额外程序步骤以现有可得的矽锗BiCMOS制造程序予以制造，并且可使用矽锗BJT已有之特性资料来模型化ESD保护装置之性能。 |
