掺杂型单晶金属矽化物的奈米线体之制作方法

摘要

本发明提供一种掺杂型单晶金属矽化物的奈米线体之制作方法，包含下列步骤：(A)于一减压环境中提供一实质上由矽所构成的基材；(B)于该基材上形成一含有一镍层及至少一由一选自于下列所构成之群组的金属材料所制成的金属层的金属膜：铁、钴、铂及此等之一组合，其中，该镍层厚度与该金属层厚度的比值是介于100至1／100之间；(C)于该减压环境内提供一选自于下列所构成之群组的金属源：钽源、钨源及钼源；及(D)实施一真空退火以制作出该掺杂型单晶金属矽化物的奈米线体。