蚀刻方法,形成一沟槽隔离结构之方法,半导体基板及半导体装置

摘要

本发明揭示一种使一基底材料经受一使用一含有氟化氢及臭氧之腐蚀剂之蚀刻制程的蚀刻方法。该基底材料具有一由矽作为一主要材料所构成的第一区域及一由SiO2作为一主要材料所构成的第二区域。该蚀刻方法包括以下步骤：制备该基底材料；及将腐蚀剂施加于该基底材料上，以利用腐蚀剂对矽之蚀刻速率高于腐蚀剂对SiO2之蚀刻速率的特征，在该第一区域与该第二区域之间形成一台阶，使得该第一区域之表面的高度低于该第二区域之表面的高度。