具有复合蚀刻停止层之半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种具有复合蚀刻停止层之半导体装置，其包括：一基底，具有一导电构件；一第一蚀刻停止层，位于该基底与该导电构件上；一第二蚀刻停止层，位于该第一蚀刻停止层上；一介电层，位于该第二蚀刻停止层上；以及一导电物，位于该介电层、该第二蚀刻停止层与该第一蚀刻停止层中，电性连结于该导电构件。此外，本发明亦关于一种具有复合蚀刻停止层之半导体装置之制造方法。