发明名称 蚀刻溶液以及移除低介电常数介电层的方法
摘要 一种蚀刻溶液,用以蚀刻基底上的低K介电层。此溶液包括有效比例的氧化剂以氧化一低K介电层以及一有效比例的氧化物蚀刻剂以移除氧化物。使用这样的蚀刻溶液可轻易藉由一单阶段处理制程移除一低K介电层。
申请公布号 TW200618101 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094139384 申请日期 2005.11.10
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 金美英;李晓山;洪郁善;吴晙焕;李相旻
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国