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发明名称
蚀刻溶液以及移除低介电常数介电层的方法
摘要
一种蚀刻溶液,用以蚀刻基底上的低K介电层。此溶液包括有效比例的氧化剂以氧化一低K介电层以及一有效比例的氧化物蚀刻剂以移除氧化物。使用这样的蚀刻溶液可轻易藉由一单阶段处理制程移除一低K介电层。
申请公布号
TW200618101
申请公布日期
2006.06.01
申请号
TW094139384
申请日期
2005.11.10
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
金美英;李晓山;洪郁善;吴晙焕;李相旻
分类号
H01L21/306
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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