具备欲更新的记忆体组数目可以变更的半导体记忆元件以及其操作方法

摘要

本发明提供一种用以产生指示半导体记忆元件(semiconductor memory device)欲更新的记忆体组(memory bank)的位址之方法。于此方法中，可以利用在更新操作期间不使用的控制位址(control address)以及组位址(bank address)来变更欲更新的记忆体组数目。因此，可以减少或调整用以更新半导体系统的半导体记忆元件所分配的时间，藉以增强此半导体系统的整体效能。