摘要 |
依据本发明之一种半导体发光元件,系具备:具有导电性的支持基板(1)与具有发光功能的半导体区域(3)与光反射层(2)。半导体区域(3)具有n型半导体层(6)与活性层(7)与p型半导体层(8)与p型辅助半导体层(9)。光反射层(2)系由Ag或Ag合金所构成,配置于半导体区域(3)与支持基板(1)之间。该光反射层(2)系由:形成于半导体区域(3)的一方的主面的Ag或Ag所构成的第1黏合层、以及形成于支持基板1的一方的主面的Ag或Ag合金所构成的第2黏合层所形成。光反射层(2)的侧面(22)与半导体区域(3)的侧面(23)之任一者或两者,以用来抑制转移的保护层(6)予以覆盖。 |