发明名称 底胶填充制程、晶片封装制程及结构与其晶片穿孔填入底胶的方法
摘要 一种底胶填充制程,适于填入一底胶于一晶片与一基板之间,此晶片具有一背面与一主动表面,且晶片系以主动表面配置于基板上。此底填制程包括:先形成一点胶孔贯穿晶片之背面与主动表面。接着,填入底胶于点胶孔中,且底胶由点胶孔附近向外扩散,直到底胶填满于晶片与基板之间为止。最后,固化底胶即可完成底胶填充制程。
申请公布号 TW200618204 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW093135033 申请日期 2004.11.16
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 魏志仲;彭道锦
分类号 H01L23/18 主分类号 H01L23/18
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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