| 主权项 |
1.一种双轴定向层合聚酯薄膜,包含第一聚酯层及 第二聚酯层,其中 该第一聚酯层具有0.3至5m之厚度(tA),该第二聚酯 层含有惰性细微颗粒润滑剂且具有1.5至9m之厚 度(tB),该第一聚酯层及该第二聚酯层满足下列(1) 至(4)之表示: WRa(B)>Wra(A) (1) 0.5≦tB/t≦0.9 (2) 10 < tB/dB≦60 (3) t = 3至10m (4) 其中WRa(A)系第一聚酯层之曝露表面之中央面之平 均粗糙度(nm),WRa(B)系第二聚酯层之曝露表面之中 央面之平均粗糙度(nm),tB系第二聚酯层之厚度(m) ,t系tA及tB之总和,tA系第一聚酯层之厚度(m),且dB 系第二聚酯层内所含之惰性细微颗粒润滑剂之平 均颗粒直径(m); 其中该第二聚酯层之聚酯包含具有双轴定向层合 聚酯薄膜或其未拉伸膜之回收层合物聚酯膜相同 组成之回收聚酯; 其中该第二聚酯层系自回收之层合物聚酯膜及新 的聚酯形成,以确保该第二聚酯层内所含之惰性细 微颗粒润滑剂之浓度(CBi,重量%)满足下列方程式: CBi=(CAi x tA x R+100 x Cvi x (tB-(tA+tB) x R/100))/(tB x (100-R )) 其中,CAi系回收层合聚酯膜之第一聚酯层内所含之 惰性细微颗粒润滑剂之浓度(重量%),Cvi系用以形成 第二聚酯层之与回收之层合聚酯层一起始用之新 聚酯内所含惰性细微颗粒润滑剂之浓度(重量%),tA 系回收层合聚酯膜之第一聚酯层之厚度(m),tB系 回收层合聚酯膜之第二聚酯层之厚度(m),且R系 于形成第二聚酯层之与新的聚酯一起使用之回收 之层合聚酯膜之比例(重量%);以及 其中该膜之于纵向及横向之杨氏模量皆系于4,413 至19,614MPa(450至2,000kg/mm2)范围内,且纵向之杨氏模 量对横向之杨氏模量之比例为0.3至2.5范围内。 2.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中该WRa(A)系3至8nm之范围且WRa(B)系6至18nm之范围 。 3.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中该第二聚酯层之聚酯之特性黏度系低于该第 一聚酯层之聚酯之特性黏度。 4.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中该第一聚酯层对该第二聚酯层之厚度比例系 相同于该回收层合物聚酯膜之该第一聚酯层对该 第二聚酯层之厚度比例。 5.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中该R系1至90重量%。 6.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其具有与该回收之层合物聚酯膜相同之层合物结 构及组成物。 7.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中该第二聚酯层含有二或更多种之具有不同平 均颗粒直径之惰性细微颗粒润滑剂,其(i)系二或更 多种不同化学物种,(ii)系相同之化学物种且具有 可区别之颗粒尺寸分布。 8.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中形成该第一聚酯层及该第二聚酯层之聚酯系 聚乙烯-2,6-二羧酸酯。 9.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜, 其中形成该第一聚酯层及/或该第二聚酯层之聚酯 含有作为共聚合组份之0.02至45毫莫耳%之磺酸四级 鏻盐且具有1x106至9x108公分之AC体积电阻率。 10.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜 ,其系用于数位记录之磁性记录带之基本膜。 11.如申请专利范围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜 ,其系用于资料储存之磁性记录带之基本膜。 12.一种双轴定向层合聚酯薄膜,包含第一聚酯层及 第二聚酯层,其中 该第一聚酯层具有2至8.5m之厚度(tA),该第二聚酯 层含有惰性细微颗粒润滑剂且具有0.6至5m之厚 度(tB),该第一聚酯层及该第二聚酯层满足下列(1) 至(4')之表示: WRa(B)>Wra(A) (1) 0.15≦tB/t<0.5 (2') 10<tB/dB≦45 (3') t=4至10m (4') 其中WRa(A)系第一聚酯层之曝露表面之中央面之平 均粗糙度(nm),WRa(B)系第二聚酯层之曝露表面之中 央面之平均粗糙度(nm),tB系第二聚酯层之厚度(m) ,t系tA及tB之总和,tA系第一聚酯层之厚度(m),且dB 系第二聚酯层内所含之惰性细微颗粒润滑剂之平 均颗粒直径(m); 其中该第二聚酯层之聚酯包含具有为申请专利范 围第1项之双轴定向层合聚酯薄膜或其未拉伸膜之 回收层合物聚酯膜相同组成之回收聚酯; 其中该第二聚酯层系自回收之层合物聚酯膜及新 的聚酯形成,以确保该第二聚酯层内所含之惰性细 微颗粒润滑剂之浓度(CBi,重量%)满足下列方程式: CBi=(CAi x tA x R+100 x CVi x (tB-(tA+tB) x R/100))/(tB x (100-R )) 其中,CAi系回收层合聚酯膜之第一聚酯层内所含之 惰性细微颗粒润滑剂之浓度(重量%),CVi系用以形成 第二聚酯层之与回收之层合聚酯层一起始用之新 聚酯内所含惰性细微颗粒润滑剂之浓度(重量%),tA 系回收层合聚酯膜之第一聚酯层之厚度(m),tB系 回收层合聚酯膜之第二聚酯层之厚度(m),且R系 于形成第二聚酯层之与新的聚酯一起使用之回收 之层合聚酯膜之比例(重量%);以及 其中该膜之于纵向及横向之杨氏模量皆系于4,413 至19,614MPa(450至2,000kg/mm2)范围内,且纵向之杨氏模 量对横向之杨氏模量之比例为0.3至2.5范围内。 13.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中该WRa(A)系1至5nm之范围且WRa(B)系6至18nm之范 围。 14.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中该第二聚酯层之聚酯之特性黏度系低于该 第一聚酯层之聚酯之特性黏度。 15.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中该第一聚酯层对该第二聚酯层之厚度比例 系相同于该回收层合物聚酯膜之该第一聚酯层对 该第二聚酯层之厚度比例。 16.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中该R系1至50重量%。 17.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其具有与该回收之层合物聚酯膜相同之层合物 结构及组成物。 18.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中该第二聚酯层含有二或更多种之具有不同 平均颗粒直径之惰性细微颗粒润滑剂,其(i)系二或 更多种不同化学物种,(ii)系相同之化学物种且具 有可区别之颗粒尺寸分布。 19.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中形成该第一聚酯层及该第二聚酯层之聚酯 系聚乙烯-2,6-二羧酸酯。 20.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其中形成该第一聚酯层及/或该第二聚酯层之 聚酯含有作为共聚合组份之0.02至45毫莫耳%之磺酸 四级鏻盐且具有1x106至9x108公分之AC体积电阻 率。 21.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其系用于数位记录之磁性记录带之基本膜。 22.如申请专利范围第12项之双轴定向层合聚酯薄 膜,其系用于资料储存之磁性记录带之基本膜。 23.一种制备如申请专利范围第1项之双轴定向层合 聚酯薄膜之方法,其系藉由由第一未拉伸聚酯层及 第二未拉伸聚酯层组成之未拉伸层合物聚酯之双 轴拉伸制备,其中 回收之层合聚酯膜及新的聚酯被用以于满足下述 表示之条件下形成第二未拉伸聚酯层: CBi=(CAi x tA x R+100 x CVi x (tB-(tA+tB) x R/100))/(tB x (100-R )) 其中,CBi系第二未拉伸聚酯层内所含之惰性细微颗 粒润滑剂之浓度(重量%),CAi系回收之层合聚酯膜之 第一聚酯层内所含惰性细微颗粒润滑剂之浓度(重 量%),CVi系用以形成第二聚酯层之回收层合物聚酯 膜一起使用之新的聚酯内所含之惰性细微颗粒润 滑剂之浓度(重量%),tA系回收层合聚酯膜之第一聚 酯层之厚度(m),tB系回收层合聚酯膜之第二聚酯 层之厚度(m),且R系于形成第二聚酯层之与新的 聚酯一起使用之回收之层合聚酯膜之比例(重量%); 以及 其中该膜之于纵向及横向之杨氏模量皆系于4,413 至19,614MPa(450至2,000kg/mm2)范围内,且纵向之杨氏模 量对横向之杨氏模量之比例为0.3至2.5范围内。 24.一种制备申请专利范围第12项之双轴定向层合 聚酯薄膜之方法,其系藉由由第一未拉伸聚酯层及 第二未拉伸聚酯层组成之未拉伸层合物聚酯之双 轴拉伸制备,其中 回收之层合聚酯膜及新的聚酯被用以于满足下述 表示之条件下形成第二未拉伸聚酯层: CBi=(CAi x tA x R+100 x Cvi x (tB-(tA+tB) x R/100))/(tB x (100-R )) 其中,CBi系第二未拉伸聚酯层内所含之惰性细微颗 粒润滑剂之浓度(重量%),CAi系回收之层合聚酯膜之 第一聚酯层内所含惰性细微颗粒润滑剂之浓度(重 量%),Cvi系用以形成第二聚酯层之回收层合物聚酯 膜一起使用之新的聚酯内所含之惰性细微颗粒润 滑剂之浓度(重量%),tA系回收层合聚酯膜之第一聚 酯层之厚度(m),tB系回收层含聚酯膜之第二聚酯 层之厚度(m),且R系于形成第二聚酯层之与新的 聚酯一起使用之回收之层合聚酯膜之比例(重量%); 以及 其中该膜之于纵向及横向之杨氏模量皆系于4,413 至19,614MPa(450至2,000kg/mm2)范围内,且纵向之杨氏模 量对横向之杨氏模量之比例为0.3至2.5范围内。 图式简单说明: 第1图解释自行回收方法之图示;及 第2图系显示用以测量熔融聚合物之体积电阻率之 装置之典型化图示。 |
