| 主权项 |
1.一种场发射显示器之收敛型电子发射源制作方 法(二),该方法包括: a)、先取一基板; b)、利用厚膜微影技术于上述基板之表面形成有 第一电极层; c)、待,上述第一电极层形成后,再以微影蚀刻制程 于第一电极层上形成有一至少一个以上之凹坑; d)、待,上述凹坑形成后,于凹坑四周周围之第一电 极层表面上制作一保护层,并露出凹坑; e)、待,上述之保护层制作完成后,以涂布配合微影 制作技术于上述凹坑内部形成有一第二电极层,由 于凹坑内径高于第二电极层之周边形成一电子发 射源之收敛出口; f)、又待,上述第二电极层制作完成后,再以蚀刻技 术将第一电极层表面之保护层移除,再利用烧结技 术固着阴极结构。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该基板系为玻 璃材料所制成。 3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该第一电极层 系以光阻型银胶油墨制作。 4.如申请专利范围第3项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该第一电极层 厚度可以为40-50um。 5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该凹坑深度可 为20-40um。 6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该保护层为一 光阻型保护层。 7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该第二电极层 系以奈米碳管为材料。 8.如申请专利范围第7项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该第二电极层 厚度约1-5um。 9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之收 敛型电子发射源制作方法(二),其中,该凹坑改变收 敛出口内径大小,可以调整设计出最佳的收敛效果 。 10.一种场发射显示器之收敛型电子发射源制作方 法(二),该方法包括: a)、先取一基板; b)、利用厚膜微影技术于上述基板之表面形成有 第一电极层; c)、待,上述第一电极层形成后,再以微影蚀刻制程 于第一电极层上形成有一至少一个以上之凹坑; d)、待,上述凹坑形成后,于凹坑四周周围之第一电 极层表面上制作一保护层,并露出凹坑; e)、待,上述之保护层制作完成后,以电泳涂覆制作 技术于上述凹坑内部形成有一第二电极层,由于凹 坑内径高于第二电极层之周边形成一电子发射源 之收敛出口; f)、又待,上述第二电极层制作完成后,再以研磨技 术将第一电极层表面之保护层移除,再利用烧结技 术固着阴极结构。 11.一种场发射显示器之收敛型电子发射源结构(二 ),该结构: 系以提供一基板; 于上述之基板表面上形成有一第一电极层,并于第 一电极上形成有至少一个以上之凹坑; 于上述之凹坑内形成有一第二电极层,而凹坑周边 高度高于第二电极层,该凹坑高于第二电极层之周 边内径形成一收敛出口。 12.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之 收敛型电子发射源结构(二),其中,该基板系为玻璃 材料所制成。 13.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之 收敛型电子发射源结构(二),其中,该第一电极层系 以光阻型银胶油墨制作。 14.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器之 收敛型电子发射源结构(二),其中,该第二电极层系 以奈米碳管为材料。 图式简单说明: 第一图,系为传统二极场发射显示器结构示意图。 第二图,系为传统三极场发射显示器结构示意图。 第三图,系为传统四极场发射显示器结构示意图。 第四-八图,系本发明之阴极结构制作流程结构示 意图。 第九图,系本发明之单一阴极结构示意图。 第十图,系本发明之阴极结构电子发射源之电子束 发射示意图。 |
