| 主权项 |
1.一种系列奈米元件之制造方法,包括以下步骤: (1)取得一奈米图案成形模板,并且利用该奈米图案 成形模板来形成奈米元件;以及 (2)其中该奈米图案成形模板系藉下列步骤形成: (i)利用一团联共聚合方法制备一具有第一与第二 共聚物之团联共聚物,且该第一与第二共聚物彼此 互不相溶; (ii)将该第一共聚物构成一周期性排序之图案,以 形成一薄膜;以及 (iii)选择性地减少该第一共聚物之含量,使该薄膜 形成一含有周期性排序结构之奈米孔洞材料。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第 一共聚物之材质系六角圆柱结构,且其圆柱轴心系 垂直于该薄膜表面。 3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第 一共聚物系选自包含聚左旋乳酸、聚内消旋乳酸 、聚乳酸、以及聚己内酯之组;且该第二共聚物 系选自包含聚苯乙烯、聚乙烯啶、以及聚丙烯 之组。 4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该团 联共共聚物系为聚苯乙烯-聚左旋乳酸(PS-PLLA)之掌 性团联共共聚物;该第一共聚物系聚左旋乳酸;且 该第二共聚物系为聚苯乙烯。 5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该团 联共共聚物系为聚4-乙烯啶-聚左旋乳酸(P4VP-PLLA )之掌性团联共共聚物;该第一共聚物系聚左旋乳 酸;且该第二共聚物系聚4-乙烯啶。 6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该团 联共共聚物系聚(9-乙烯-9氢芴)-聚己内酯(PVHF-PCL) 团联共共聚物;该第一共聚物系聚己内酯;且该第 二共聚物系聚(9-乙烯-9氢芴)。 7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该薄 膜系形成于一选自包括载玻片、涂碳载玻片、氧 化铟玻璃(ITO)、矽晶圆、氧化矽、无机发光二极 体、以及攀土所构成组之基板上。 8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该薄 膜系经由旋转涂布方法形成于一基板上。 9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第 一共聚物之该周期性排序之图案系由控制溶液铸 膜、剪切力场、电场、图样化基板、温度梯度、 或磊晶结晶所形成。 10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该 第一共聚物系选择性地的藉由水解反应进行降解 。 11.一种用于制成奈米元件之奈米图案成形模板,包 括一具周性期排序奈米孔洞结构之薄膜;其中该具 奈米孔洞之薄膜系藉由下列步骤形成: (i)利用一团联共聚合反应以制备一团联共聚物,其 中包含第一与第二共聚物,且该第一与第二共聚物 彼此互不相溶; (ii)将第一共聚物构成一周期性排序之图案,以形 成一薄膜;以及 (iii)选择性地降解第一共聚物,使薄膜变成一含有 周期性排序结构之奈米孔洞材料。 12.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该第一共聚物包含一六角圆柱结构,且其 圆柱轴垂直于该薄膜表面。 13.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该第一共聚物系选自于包含聚左旋乳酸、 聚内消旋乳酸、聚乳酸、以及聚己内酯所组成之 组;该第二共聚物系选自于包括聚苯乙烯、聚乙 烯啶、以及聚丙烯所组成之组。 14.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该团联共聚物系为聚苯乙烯-聚左旋乳酸( PS-PLLA)之掌性团联共聚物;该第一共聚物系为聚左 旋乳酸;且该第二共聚物系为聚苯乙烯。 15.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该团联共聚物系为聚4-乙烯啶-聚左旋乳 酸(P4VP-PLLA)之掌性团联共聚物;该第一共聚物系为 聚左旋乳酸;以及该第二共聚物系为聚4-乙烯啶 。 16.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该团联共聚物系为聚(9-乙烯-9氢芴)-聚己 内酯(PVHF-PCL)之团联共聚物;该第一共聚物系为聚 己内酯;以及该第二共聚物系为聚(9-乙烯-9氢芴)。 17.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该薄膜系形成于一基板,且该基板系选自 由载玻片、涂碳载玻片、氧化铟玻璃(ITO)、矽晶 圆、氧化矽、无机发光二极体、以及土所组成 之组。 18.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该薄膜系经由旋转涂布方法形成于一基板 上。 19.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该第一共聚物之该周期性排序之图案系由 控制溶液铸膜、剪切力场、电场、图样化基板、 温度梯度、或磊晶结晶所形成。 20.如申请专利范围第11项所述之奈米图案成形模 板,其中该第一共聚物系选择性地藉由水解而降解 。 图式简单说明: 图1A系一PS365-PLLA109(fPLLAv = 0.26)溶液铸膜团联共聚 物样品,在微观相分离熔点进行冷却后之TEM显微照 相图;样品以超薄切片机切出薄片以RuO4染色后,呈 现出的颜色PS的部分比起PLLA的部分相对而言较深 色。 图1B系方位角积分一维SAXS图谱,结果显示出一HC奈 米微结构,其绕射波峰出现于相对q*値1:v3:v4:v7:v9。 图2A系PS365-PLLA109(fPLLAv = 0.26)薄膜以旋转涂布方式 形成于覆有一碳层之玻璃板表面,再以半接触扫描 式探针显微镜(tapping mode SPM)进行观察之结果图;结 果显示了一近似六角圆柱结构之横截面图,且较暗 的PS材料部分之与较亮的PLLA区域相比,相延迟程度 较少。 图2B系将旋转涂布形成之薄膜以RuO4染色后直接以 TEM观察之结果。 图3A系以旋转涂布形成之PS-PLLA奈米级图样之3维立 体示意图。 图3B与3C系PS365-PLLA109(fPLLAv=0.26)以旋转涂布方式形 成薄膜于一玻璃板表面,再以半接触扫描式探针显 微镜进行观察之结果图;3B为水解前,3C为水解后。 图4A、4B与4C系分别为溶液铸膜团联共聚物样品,在 微观相分离熔点进行冷却后之TEM显微照相图,其中 (a)为PS83-PLLA41(fPLLAv=0.34);(b)为PS198-PLLA71(fPLLAv=0.27); 以及(c)为PS280-PLLA97(fPLLAv=0.31);样品以超薄切片机 切出薄片后,以RuO4染色以呈现出质量厚度之对比; 其相对应之方位角积分一维SAXS图则分别为图4D、4 E与4F。 图5A、5B、5C与5D系PS365-PLLA109(fPLLAv=0.26)以旋转涂布 方式形成薄膜,分别形成于不同基板表面,其以半 接触扫描式探针显微镜进行观察之结果图;(a)为载 玻片,(b)涂碳载玻片(c)为氧化铟锡玻璃(d)为矽晶圆 。 图6A与6B系PS365-PLLA109(fPLLAv=0.26)以旋转涂布方式形 成形成薄膜于一载玻片表面,再以半接触扫描式探 针显微镜观察其底部构型之结果图;(a)用水解前,(b )用水解后。 图7A、7B、7C与7D系PS365-PLLA109(fPLLAv=0.26),分别利用 不同溶剂,以旋转涂布方式形成薄膜于一载玻片表 面,再以半接触扫描式探针显微镜观察其表面之结 果图,(a)二氯苯(20℃蒸气压:0.52mm Hg),(b)氯苯(20℃蒸 气压:12mm Hg),(c)甲苯(20℃蒸气压:22mm Hg),(d)四氢 喃(20℃蒸气压:131.5mm Hg)。 图8A、8B与8C系PS365-PLLA109(fPLLAv=0.26)以旋转涂布方 式,利用氯苯形成不同厚度之薄膜于载玻片表面, 再以半接触扫描式探针显微镜进行观察之结果图: (a)160nm;(b)80nm;(c)50nm;(d)30nm。 图9A为利用旋转涂布方式形成PS365-PLLA109(fPLLAv=0.26) 薄膜于载玻片上,其厚度对旋转速率之关系图,空 心圆形为样品经由SPM量测得之厚度,空心三角形则 代表利用厚度描绘仪(depth profiler)测得之数据。 图9B为PS365-PLLA109(fPLLAv = 0.26)薄膜经水解后,以半接 触扫描式探针显微镜进行观察之结果图 图10A与10B为利用FESEM,从平行于圆柱轴心之角度观 察水解后PS365-PLLA109(fPLLAv=0.24)样品之显微图。 |
